普通狀況下普遍用于高端驅動(dòng)的MOS,導通時(shí)需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.假如在同一個(gè)系統里，要得到比VCC大的電壓，就要特地的升壓電路了。很多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵，要留意的是應該選擇適宜的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。

MOS管是電壓驅動(dòng)，按理說(shuō)只需柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導通DS,柵極串多大電阻均能導通。但假如請求開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，柵對地或VCC能夠看做是一個(gè)電容，關(guān)于一個(gè)電容來(lái)說(shuō)，串的電阻越大，柵極到達導通電壓時(shí)間越長(cháng)，MOS處于半導通狀態(tài)時(shí)間也越長(cháng)，在半導通狀態(tài)內阻較大，發(fā)熱也會(huì )增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，普通要加前置驅動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)理解一下MOS管開(kāi)關(guān)的根底學(xué)問(wèn)。

MOS管的開(kāi)關(guān)特性

一、靜態(tài)特性
MOS管作為開(kāi)關(guān)元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決議其工作狀態(tài)?！　」ぷ魈匦匀缦拢?

uGS<開(kāi)啟電壓UT:MOS管工作在截止區，漏源電流iDS根本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開(kāi)”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示。

uGS>開(kāi)啟電壓UT:MOS管工作在導通區，漏源電流iDS=UDD/（RD+rDS）。其中，rDS為MOS管導通時(shí)的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），假如rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態(tài)，其等效電路如上圖（c）所示。

二、動(dòng)態(tài)特性
MOS管在導通與截止兩種狀態(tài)發(fā)作轉換時(shí)同樣存在過(guò)渡過(guò)程，但其動(dòng)態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的雜散電容充、放電所需的時(shí)間，而管子自身導通和截止時(shí)電荷積聚和消散的時(shí)間是很小的。下圖 （a）和（b）分別給出了一個(gè)NMOS管組成的電路及其動(dòng)態(tài)特性表示圖。

NMOS管動(dòng)態(tài)特性表示圖

當輸入電壓ui由高變低，MOS管由導通狀態(tài)轉換為截止狀態(tài)時(shí)，電源UDD經(jīng)過(guò)RD向雜散電容CL充電，充電時(shí)間常數τ1=RDCL.所以，輸出電壓uo要經(jīng)過(guò)一定延時(shí)才由低電平變?yōu)楦唠娖?；當輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止狀態(tài)轉換為導通狀態(tài)時(shí)，雜散電容CL上的電荷經(jīng)過(guò)rDS停止放電，其放電時(shí)間常數τ2≈rDSCL.可見(jiàn)，輸出電壓Uo也要經(jīng)過(guò)一定延時(shí)才干轉變成低電平。但由于rDS比RD小得多，所以，由截止到導通的轉換時(shí)間比由導通到截止的轉換時(shí)間要短。

由于MOS管導通時(shí)的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時(shí)間較長(cháng)，使MOS管的開(kāi)關(guān)速度比晶體三極管的開(kāi)關(guān)速度低。不過(guò)，在CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低阻電路，因而，其充、放電過(guò)程都比擬快，從而使CMOS電路有較高的開(kāi)關(guān)速度。

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